[发明专利]光刻工序中套刻精度的控制方法无效

专利信息
申请号: 200710044888.9 申请日: 2007-08-15
公开(公告)号: CN101369101A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 金晓亮 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 201203上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种光刻工序中套刻精度的控制方法,涉及半导体领域的制造技术。该控制方法包括如下步骤:在晶圆中心部分选取若干个测试芯片单元;提供检测设备,对上述测试芯片单元进行套刻精度测试,得到套刻数据;提供光刻机,其包括彼此相连的机台控制系统和边缘补偿模块,将上述套刻数据输入边缘补偿模块得到晶圆边缘部分的套刻数据;将上述晶圆边缘部分的套刻数据输入机台控制系统设置晶圆边缘部分的偏移误差。与现有技术相比,本发明的控制方法通过对晶圆中心部分图形套刻数据分析,设置晶圆边缘部分图形的偏移误差,在不改变现有检测设备的情况下,提高晶圆上整个电路图形的套刻精度,保证了半导体器件的导电性能。
搜索关键词: 光刻 工序 中套 精度 控制 方法
【主权项】:
1.一种光刻工序中套刻精度的控制方法,其特征在于,该控制方法包括如下步骤:在晶圆中心部分选取数个测试芯片单元;提供检测设备,对上述测试芯片单元进行套刻精度测试,得到套刻数据;提供光刻机,其包括彼此相连的机台控制系统和边缘补偿模块,将上述套刻数据输入边缘补偿模块得到晶圆边缘部分的套刻数据;将上述晶圆边缘部分的套刻数据输入机台控制系统设置晶圆边缘部分的偏移误差。
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