[发明专利]一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法无效
| 申请号： | 200710044935.X | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101109724A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;夏长生;李志锋;张波;甄红楼;陈平平;李天信;李宁;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G06F19/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 多量 发光二极管 内部 量子 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法，其特征在于具体步骤如下：A.将生长完成的InGaN/GaN多量子阱材料芯片，切割成普通发光二极管芯片大小，刻蚀出N型GaN电极层，并镀制具有欧姆接触的正负电极；B.通过发光二极管I-V特性曲线测量仪测得不同发光二极管在相同注入电流下的I-V特性曲线；C.通过切线外推的方法获得不同发光二极管的开启电压，开启电压VTurn_on 与量子点密度NQD满足如下关系式：V Turn _ on = 3.32 - 0.19 · ( 0.87 ) N QD / 10 11 ,
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