[发明专利]降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法有效
| 申请号： | 200710044974.X | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369455A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈德艳;缪威权;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器编程中的位线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：对选中的存储单元编程；与此同时，对该氮化物只读存储器施加一特定的基体偏压，使该基体偏压施加至与选中的存储单元同一位线的未选中存储单元。通过选取适当的基体偏压，可使BL干扰降低到可容忍的程度，且不影响存储器的编程效能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 氮化物 只读存储器 编程 干扰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器编程中的位线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：a.对选中的存储单元编程；以及b.在步骤a的同时，对该氮化物只读存储器施加一特定的基体偏压，使该基体偏压施加至与选中的存储单元同一位线的未选中存储单元。
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