[发明专利]形成CMOS图像传感器、栅极侧墙及改善刻蚀不均匀的方法有效
| 申请号： | 200710045013.0 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369555A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 朱虹;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成栅极侧墙的方法，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述外围电路区和像素单元区的半导体衬底上有栅介电层和位于栅介电层上的栅极；在半导体衬底及栅极上形成衬氧层；在衬氧层上依次形成蚀刻阻挡层和顶盖层；刻蚀顶盖层和蚀刻阻挡层，在栅极两侧形成侧墙，所述衬氧层的厚度使得后外围电路区蚀刻阻挡层被刻蚀完时，像素单元区的半导体衬底上仍有衬氧层覆盖。本发明还提供一种形成CMOS图像传感器的方法和改善刻蚀不均匀的方法。本发明由于像素单元区的衬氧层不会被刻蚀掉，起到了保护半导体衬底的作用，进而降低了漏电流，提高了图像质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 cmos 图像传感器 栅极 改善 刻蚀 不均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成CMOS图像传感器的方法，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述外围电路区和像素单元区的半导体衬底上有栅介电层和位于栅介电层上的栅极；在半导体衬底及栅极上形成衬氧层；在衬氧层上依次形成蚀刻阻挡层和顶盖层；刻蚀顶盖层和蚀刻阻挡层，在栅极两侧形成侧墙；在栅极两侧的半导体衬底内形成源/漏极；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层内有贯穿介质层与漏极连通的导电插塞，且在介质层上有与导电插塞连接的金属线，其特征在于，所述衬氧层的厚度使得外围电路区蚀刻阻挡层被刻蚀完时，像素单元区的半导体衬底上仍有衬氧层覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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