[发明专利]改善绝缘介电层缺陷及形成双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200710045014.5 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369535A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 阙凤森;李芬芳;曹涯路;徐亮;张文锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善绝缘介电层缺陷的方法，包括下列步骤：提供带有缺陷的第一绝缘介电层的半导体衬底；通过去除部分厚度或全部厚度的第一绝缘介电层去除缺陷，使第一绝缘介电层的剩余厚度小于目标厚度；研磨第一绝缘介电层；沉积第二绝缘介电层，使第二绝缘介电层与研磨后的第一绝缘介电层的厚度之和达到目标厚度。本发明还提供一种形成双镶嵌结构的方法。使最终形成的绝缘介电层表面平整度好且表面缺陷少，厚度保证是目标厚度，使晶圆的成品率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 绝缘 介电层 缺陷 形成 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供带有缺陷的第一绝缘介电层的半导体衬底；通过去除部分厚度或全部厚度的第一绝缘介电层去除缺陷，使第一绝缘介电层的剩余厚度小于目标厚度；研磨第一绝缘介电层；沉积第二绝缘介电层，使第二绝缘介电层与研磨后的第一绝缘介电层的厚度之和达到目标厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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