[发明专利]一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法有效
申请号: | 200710045148.7 | 申请日: | 2007-08-22 |
公开(公告)号: | CN101118886A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 朱建妹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于红外焦平面阵列探测器的复合铟柱及制备方法,该复合铟柱的特征是:外层由黄金包覆,内填满铟构成。复合铟柱制备的特征是首先在光刻孔内壁形成厚度为500~700黄金层,然后再真空蒸发淀积铟,部分铟自然填入由黄金层为内壁的孔内,由于填充的是热铟源,对黄金壁产生合金作用,从而形成由黄金层包覆,内填满铟构成的复合铟柱。本发明的最大优点是:制备出来的铟柱表面光滑,铟柱直径可达到10-12微米,中心距为6-10微米,铟柱高度控制在10-12微米。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 红外 平面 器件 复合 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于红外焦平面器件的复合铟柱,其特征在于:所说的复合铟柱外层由黄金包覆,内填满铟构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710045148.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。