[发明专利]一种可改善闪存性能的第一金属间介质及其制作方法有效
| 申请号： | 200710045713.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101383338A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张弓;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可改善闪存性能的第一金属间介质及其制作方法。现有技术中采用掺杂氟的硅玻璃作为第一金属间介质的重要组成部分，致使闪存数据保持性能较差。本发明的可改善闪存性能的第一金属间介质，其制作在已制成金属前介质和金属插塞的闪存上，其从下至上依次包括一氮化硅层、一未掺杂的硅玻璃层和一氮氧化硅层，本发明的制作方法依次制作该氮化硅层、该未掺杂的硅玻璃层和该氮氧化硅层。采用本发明的可改善闪存性能的第一金属间介质及其制作方法可大大提高闪存的数据保持性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 闪存 性能 第一 金属 介质 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可改善闪存性能的第一金属间介质，其制作在已制成金属前介质和金属插塞的闪存上，其特征在于，该第一金属间介质从下至上依次包括一氮化硅层、一未掺杂的硅玻璃层和一氮氧化硅层。
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