[发明专利]光刻工艺的显影方法有效
| 申请号： | 200710046211.9 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393401A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。本发明能够减少或消除半导体晶片表面的光刻胶残留的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 显影 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。
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