[发明专利]晶片清洗方法有效
| 申请号： | 200710046215.7 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101391254A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 高峰;高俊涛;刘志成;王向东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片清洗方法，包括步骤：令晶片进行第一旋转；从所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置组向所述晶片喷洒去离子水；停止所述第一旋转；令所述晶片进行第二旋转；从位于所述晶片中段上方及所述晶片边缘内侧上方的第二位置组向所述晶片喷洒去离子水；停止去离子水的喷洒；停止所述第二旋转。采用本发明的清洗方法，扩大了去离子水对晶片进行直接冲洗的覆盖面，提高了清洗的力度，同时，也改善了晶片清洗的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片清洗方法，其特征在于，包括步骤：令晶片进行第一旋转；从所述晶片中心上方及位于所述晶片中段上方的第一位置组向所述晶片喷洒去离子水；停止所述第一旋转；令所述晶片进行第二旋转；从位于所述晶片中段上方及所述晶片边缘内侧上方的第二位置组向所述晶片喷洒去离子水；停止去离子水的喷洒；停止所述第二旋转。
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