[发明专利]基于硅通孔的三维堆叠封装方法有效
| 申请号： | 200710046259.X | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101393874A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 靳永刚;毛剑宏;朱文渊;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅通孔的三维堆叠封装方法，涉及半导体领域的集成技术。该方法包括：提供待封装的晶圆，每一晶圆具有若干焊垫；在晶圆的正面沉积阻挡层后，进行蚀刻步骤，露出晶圆上的焊垫；在对应焊垫的位置制作所述硅通孔；采用无电极电镀向硅通孔内填充金属，填充的金属一端与焊垫电性连接，另一端延伸出晶圆的背面形成连接部；采用无电极电镀在焊垫上电镀金属，电镀的金属突出晶圆正面形成连接部；利用晶圆键合设备将一晶圆正面的连接部与另一晶圆背面的连接部进行键合堆叠。与现有技术相比，本发明提供的方法通过采用无电极电镀方法向硅通孔内填充金属，简化了封装步骤，且提高了晶圆堆叠后的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 三维 堆叠 封装 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基于硅通孔的三维堆叠封装方法，其特征在于，该三维堆叠封装方法包括如下步骤：a. 提供待封装的晶圆，每一晶圆具有若干焊垫；b. 在晶圆的正面沉积阻挡层后，进行蚀刻步骤，露出晶圆上的焊垫；c. 在对应焊垫的位置制作所述硅通孔；d. 采用无电极电镀向硅通孔内填充金属，填充的金属一端与焊垫电性连接，另一端延伸出晶圆的背面形成连接部；e. 采用无电极电镀在焊垫上电镀金属，电镀的金属突出晶圆正面形成连接部；f. 一晶圆正面的连接部与另一晶圆背面的连接部进行键合连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
