[发明专利]去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法无效
| 申请号： | 200710046302.2 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393864A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 范建国;郭军;季峰强;俞新波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除缺陷膜层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。本发明还提供一种形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法。本发明用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。由于在去除缺陷第二膜层时的过蚀刻对第一膜层没有影响，从而在监测出第二膜层有缺陷时，对缺陷第二膜层随时进行去除而不影响到其它膜层，进而使半导体器件的成品率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 缺陷 形成 氧化 氮化 硅侧墙 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种去除缺陷膜层的方法，其特征在于，包括下列步骤:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
