[发明专利]缺陷分析方法和系统有效
| 申请号： | 200710046496.6 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399216A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 杨健;阎海滨;陈思安;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种缺陷分析方法，包括：获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息；根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶圆中心到所述直线的距离；比较计算所得的机械性划伤宽度和各种制程设备的机械臂宽度，确定可能造成所述机械性划伤的制程设备。本发明还公开了一种缺陷分析系统，本发明的缺陷分析方法和系统具有速度快，计算准确的优点，因而可以增加缺陷分析的准确性和时效性。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种缺陷分析方法，其特征在于，包括：获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息；根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶圆中心到所述直线的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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