[发明专利]一种MOS管界面态的测试方法无效
| 申请号： | 200710046681.5 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136347A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐逸 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS管界面态的测试方法，所述测试方法包括如下步骤：步骤1.采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；步骤2.将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；步骤3.通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。采用此发明方法可以简单快速的分离MOS管的源、漏及沟道界面态，无需繁琐复杂的计算过程就可为器件制造工艺评价以及器件失效分析提供良好的判定依据和分析途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 界面 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS管界面态测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：步骤1：采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；步骤2：将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；步骤3：通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
