[发明专利]一种改进型电容及其制造方法

摘要

本发明提供了一种改进型电容及其制造方法。现有技术的采用MIM或PIP结构的电容存在着占用空间大等问题，故无法顺应半导体器件微型化的发展需求。本发明的电容设置在已制造完金属前介质和第一金属层的半导体器件中，该金属前介质中设置有连通的电极凹槽和接触孔，该电容包括上下电极和夹设在两者间的绝缘介质层，该下电极设置在该电极凹槽中且其为多晶硅，其还通过设置在该接触孔中的多晶硅插塞连接至半导体器件的硅衬底，该上电极设置在第一金属层中。本发明的电容制造方法先光刻并刻蚀出接触孔和电极凹槽；再沉积多晶硅；接着进行化学机械抛光形成多晶硅插塞和下电极；最后制造绝缘介质层和上电极。通过本发明可顺应半导体微型化发展的需求。

主权项

1、一种改进型电容，其设置在已制造完金属前介质和第一金属层的半导体器件中，该电容包括上下电极和夹设在上下电极间的绝缘介质层，其中，该下电极为多晶硅，其特征在于，该金属前介质中设置有连通的电极凹槽和接触孔，该下电极设置在该电极凹槽中且通过设置在该接触孔中的多晶硅插塞连接至半导体器件的硅衬底，该上电极设置在该第一金属层中。