[发明专利]一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法无效
| 申请号： | 200710046687.2 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101399214A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上。现有技术中制作完扩散阻挡层后并无致密步骤致使顶层金属易穿过该扩散阻挡层而进入金属垫，从而使金属垫流电效率降低并被腐蚀。本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法首先在该顶层金属上制作扩散阻挡层；然后致密该扩散阻挡层；接着通过物理气相沉积工艺沉积金属层；最后依据金属垫图形进行光刻和刻蚀以形成金属垫。采用本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法可制成致密的扩散阻挡层，有效避免了顶层金属向金属垫中的扩散，从而可大大提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 顶层 金属腐蚀 金属 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上，该方法包括以下步骤：(1)在该顶层金属上制作扩散阻挡层；(2)通过物理气相沉积工艺沉积金属层；(3)依据金属垫图形进行光刻和刻蚀以形成金属垫；其特征在于，该方法在步骤(1)与步骤(2)间还具有致密该扩散阻挡层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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