[发明专利]栅极及NMOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200710046810.0 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101399192A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;张海洋;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极的制作方法，包括：提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，所述栅极两侧形成有聚合物层；依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。本发明还提供一种NMOS晶体管的形成方法。本发明在去除硬掩膜层后再去除聚合物层，由于聚合物层在去除硬掩膜层过程中对栅极两侧的保护，使栅极不因均匀性问题而被破坏，保持完整。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 nmos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，所述栅极两侧形成有聚合物层；依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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