[发明专利]离子束辅助沉积铂－碳混合膜的工艺方法

摘要

本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。

主权项

1.一种离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法，其特征在于所述的工艺方法为：1)衬底材料清洗烘干后，装入离子束辅助沉积设备的样品架上；2)室温下当离子束辅助沉积设备的真空度达2×10-4Pa后，用氩离子束轰击衬底材料、清洗表面，氩离子的能量为500-2000ev；3)待步骤2)所述的衬底表面清洗后，用氩离子轰击铂靶和石墨靶，沉积铂-碳混合膜；在沉积铂-碳混合膜的同时采用能量为100-500eV的氩离子束，对沉积中的铂-碳混合膜进行辅助轰击，铂-碳混合膜中铂与碳的原子组份比可由式术得：RPt/C=ZPt×SPt×DPt/APtZC×SC×DC/AC 式中：Z为沉积速率，S为靶的有效几何面积，D为材料体密度，A为材料原子量，下标Pt、C分别表示铂与碳；所述的铂靶和碳靶的几何尺寸相同，且铂靶在下面，上面覆盖打了孔的石墨靶。