[发明专利]大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板及其制备方法无效
| 申请号： | 200710046996.X | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101188260A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张建华;殷录桥;陈明法;李佳;杨卫桥 | 申请（专利权）人： | 上海大学;上海蓝宝光电材料有限公司;华东微电子技术研究所;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷层与氮化铝陶瓷叠层基板及其制备方法。本叠层基板的上层为低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层，而下层为氮化铝AlN陶瓷基板。低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层内分布电极层。其制备方法步骤为：高温共烧氮化铝AlN陶瓷基板，低温烧结LTCC陶瓷层并在LTCC陶瓷层上冲出方形或者圆形的适合安装大功率发光二极管LED的空腔，然后在LTCC陶瓷层上通过丝网印刷电路导带，并将多层LTCC陶瓷层低温共烧，最后将氮化铝AlN层与LTCC陶瓷层通过银金属或者耐高温胶烧结在一起，形成叠层基板。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 发光 二极 管用 低温 陶瓷 氮化 铝叠层基板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板，包括基板，其特征在于所述的基板为叠层基板：其上层为低温共烧陶瓷LTCC陶瓷层，下层为氮化铝AlN陶瓷层。
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