[发明专利]一种制备无偏析的偏晶合金材料的方法及其装置有效
申请号: | 200710047493.4 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101148746A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 钟云波;王江;任忠鸣 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C22F3/02 | 分类号: | C22F3/02 |
代理公司: | 上海上大专利事务所 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备无偏析的偏晶合金材料的方法及其装置,属均质偏晶合金材料制备工艺技术领域。本发明的特点主要是利用稳恒强磁场与交变电流复合作用来抑制合金第二相的偏析,从而获得第二相均匀分布的偏晶合金。本发明方法的过程如下:将含有偏晶成分的二元组成合金放置于设有两个交流电极的坩埚中,并将其放置在有惰性气体保护的加热装置中,前述装置又放置于一超导磁体产生的强磁场空间中;给加热装置通电加热,使炉内温度达到偏晶合金的液相线温度之上,并保温若干小时,然后控制炉温以恒定速度降温,同时通过合金熔体两端的交流电极通入适当强度和频率的交变电流,直至偏晶合金温度降低固相线温度以下,待冷却至室温下,即获得第二相均匀分布的偏晶合金材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 偏析 合金材料 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制备无偏析的偏晶合金材料的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:将含有偏晶成分的二元组成合金放置于设有两个石墨电极或不锈钢电极的坩埚中,并将所述的坩埚放置在有惰性气体氩气或氮气保护下的加热装置中;然后将上述整套装置放置于一超导磁体产生的强磁场空间中,磁场方向保持为向上垂直方向,调整磁场强度达1~12T范围内;然后给所述加热装置通电加热,通过控温仪控制加热装置炉内温度为偏晶合金的液相线温度上,并保温若干小时;然后控制炉温以恒定的速度降温;同时通过合金熔体两端的两个石墨电极或不锈钢电极往熔体中通入适当强度和适当频率的交变电流,电流大小为2-40A,电流频率为1-1000Hz,同时确保磁场强度和电流密度的方向为垂直正交,直至偏晶合金温度完全降至固相线温度以下,此时关闭电源,停止电流输入,待冷却至室温后即获得第二相均匀分布的偏晶合金材料。
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