[发明专利]MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法

摘要

本发明提供了一种MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法。该仿真宏模型包括一MOS晶体管仿真模型，串联在晶体管栅极与电路栅极节点之间的栅电阻R_G，分别用于表征源极和衬底以及漏极和衬底之间的结电容和寄生电阻的电容C_jun.s与电阻R_jun.s以及电容C_jun.d与电阻R_jun.d，用于表征晶体管的体电阻和阱电阻的两个电阻R_bulk和R_well。R_jun.s、R_jun.d、R_bulk、R_well四个电阻相连于一点，采用“T”型结构来表述衬底引入的寄生电阻。本发明还提供了采用等效电路Y参数分析法提取宏模型中衬底网络结构各元件参数的方法。本发明的仿真宏模型适用频率高达20GHz，提高了MOS晶体管在20GHz高频领域内模型的准确性，扩展了CMOS电路EDA设计的应用频率范围。

主权项

1.一种MOS晶体管射频电路仿真宏模型，所述射频电路具有栅极节点、源极节点、漏极节点和衬底节点，所述仿真宏模型包括：MOS晶体管仿真模型，其具有栅极、源极、漏极和衬底，所述栅极通过一栅电阻RG与所述射频电路的栅极节点相连，所述源极和漏极分别连接至所述射频电路的源极节点和漏极节点；其特征在于，还包括：源极结电容Cjun.s，其一端连接至晶体管源极，另一端连接至一第一衬底电阻Rjun.s，所述源极结电容Cjun.s和第一衬底电阻Rjun.s分别用于表征晶体管源极和衬底之间的结电容和寄生电阻；漏极结电容Cjun.d，其一端连接至晶体管漏极，另一端连接至一第二衬底电阻Rjun.d，所述漏极结电容Cjun.d和第二衬底电阻Rjun.d分别用于表征晶体管漏极和衬底之间的结电容和寄生电阻，且所述第二衬底电阻Rjun.d的另一端与第一衬底电阻Rjun.s的另一端相连接于一电阻网络节点；衬底体电阻Rbulk，其一端连接至所述电阻网络节点，另一端连接至晶体管的衬底，用于表征晶体管的体电阻；以及衬底阱电阻Rwell，其一端连接至所述电阻网络节点，另一端连接至所述射频电路的衬底节点，用于表征晶体管的阱电阻。