[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710047745.3 申请日: 2007-11-02
公开(公告)号: CN101424844A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 秦锋;李小和 申请(专利权)人: 上海广电NEC液晶显示器有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G03F7/00;G03F1/00;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/027;H01L21/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 薛 琦
地址: 201108上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,其主要包括在玻璃基板上形成栅极导电层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、数据导线层、像素电极层,且通过三张掩膜版完成液晶显示装置阵列基板的制造。与传统工艺相比,本发明方法减少了工艺步骤从而节约了生产时间,且降低了掩膜版对位上的偏差,提高了产品质量。
搜索关键词: 液晶 显示装置 阵列 制造 方法
【主权项】:
1. 一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,其特征在于,它包括以下步骤:步骤1,在洁净玻璃基板上沉积栅极导电层、第一绝缘层、有源层,再涂布一层光刻胶,利用第一掩膜版进行曝光、显影,再蚀刻形成栅极配线及栅电极,然后进行第一次灰化,第一次灰化后进行蚀刻得到栅极区域和晶体管区域导电层;步骤2,在完成步骤1的基板上依次沉积数据导线层、第二绝缘层、然后涂布一层光刻胶;采用第二块掩膜版进行曝光、显影,再蚀刻去除数据线区域、其它区域、晶体管区域的光刻胶和数据导线层,然后进行第二次灰化,第二次灰化后进行蚀刻露出栅极区域和数据线区域的数据导线层;步骤3,在完成步骤2的基板上沉积像素电极层,并在像素电极层上涂布第三层光刻胶,利用第三块掩膜版进行曝光、显影,再蚀刻形成像素电极。
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