[发明专利]闪存中过擦除存储单元的检测方法有效
| 申请号： | 200710047995.7 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101430935A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 缪威权;郑勇;张晓东;潘国华;仲海卫;乔静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测闪存中过擦除存储单元的方法，涉及半导体领域的检测工艺。现有的检测方法仅能检测出具有过擦除存储单元的位线地址。本发明的检测方法包括：测量闪存内所有位线的漏电流，将该漏电流与基准漏电流比较，其中漏电流大于基准漏电流的位线为异常位线；逐一对每条字线连接的控制栅极加电压，提高字线连接的存储单元的阈值电压；每对一条字线连接的控制栅极加电压后，就对异常位线进行一次的漏电流测量，如果该漏电流小于或者等于基准漏电流，则该字线与异常位线交叉点的位置即是过擦除存储单元的地址；反之，循环执行上一步骤即对下一条字线连接的控制栅极加电压。本发明提供的检测方法可以检测出过擦除存储单元的具体物理地址。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 擦除 存储 单元 检测 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种闪存中过擦除存储单元的检测方法，该闪存包括数条位线和字线，其中该闪存内同一行存储单元的控制栅极连接在同一条字线上，该闪存内同一列存储单元的漏极连接在同一条位线上，其特征在于，该检测方法包括如下步骤：a. 测量闪存内所有位线的漏电流，将该漏电流与基准漏电流比较，其中漏电流大于基准漏电流的位线为异常位线；b.逐一对每条字线连接的控制栅极加电压，提高该条字线连接的存储单元的阈值电压；c.每对一条字线连接的控制栅极加电压后，就对异常位线进行一次的漏电流测量，如果该漏电流小于或者等于基准漏电流，则该字线与异常位线交叉点的位置即是过擦除存储单元的地址；反之，循环执行步骤b即对下一条字线连接的控制栅极加电压。
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