[发明专利]金属硅化物的制备方法无效
| 申请号： | 200710047998.0 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101431019A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王媛;张步新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物的制备方法，涉及半导体领域的制造工艺。现有制备方法的湿法蚀刻步骤中光阻容易发生偏移，蚀刻尺寸的准确性较低。本发明的制备方法包括如下步骤：提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。本发明的制备方法采用硬掩膜作为氧化层的覆盖层，硬掩膜与氧化层粘附性好，不会在湿法蚀刻步骤中发生偏移，提高了蚀刻尺寸的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：a. 提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；b. 在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；c. 进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；d. 进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；e. 淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710047998.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池板载片舟金属吊钩
- 下一篇：具有一次控制电路的控制与保护开关电器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
