[发明专利]控制蚀刻偏差的方法有效
| 申请号： | 200710048000.9 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101430566A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 罗大杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G05D3/20 | 分类号： | G05D3/20;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值；其中，该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤，该自动控制步骤包括如下子步骤：a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值，然后获取对应的蚀刻偏差；a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距；a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。本发明有效克服曝光焦距在使用过程中由于漂移导致这一缺陷；还可以实时监控蚀刻偏差，根据蚀刻偏差实时调整曝光焦距。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 蚀刻 偏差 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值；其特征在于：该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤，该自动控制步骤包括如下子步骤：a1. 先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值，然后获取对应的蚀刻偏差；a2. 搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距；a3. 将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。
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