[发明专利]用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法无效

专利信息
申请号: 200710048701.2 申请日: 2007-03-17
公开(公告)号: CN101196461A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 张声森;王素梅;蒋治良 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: G01N15/00 分类号: G01N15/00;G01N21/47
代理公司: 桂林市华杰专利事务所有限责任公司 代理人: 孙伊滨
地址: 541004广西壮族自*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法,它是在常温下将CdTe溶液于带刻度的容器中,用亚沸高纯度水定容;将定容后的溶液放入石英池中,置于荧光分光光度计上,用Volt=500v,Ex.mono.Slit=Em.mono.Slit=5.0nm,同步扫描激发波长λex和发射波长λem(λex=λem),即得到CdTe量子点的共振散射光谱,利用共振散射波长和CdTe量子点粒径的线性关系,求得CdTe量子点粒径。这种用共振散射光谱测定CdTe量子粒径的方法优点在于:(1)操作简便、快速,只要测得CdTe量子点的共振散射峰波长λ,据λ=148.37ln(d)+418.08,可求得其粒径(d);(2)具有较好的应用价值。
搜索关键词: 共振 散射 光谱 测定 cdte 量子 粒径 方法
【主权项】:
1.用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法,其特征是:包括如下步骤:(1)在常温下将CdTe溶液于带刻度的容器中,用亚沸高纯度水定容;(2)移取溶液放入石英池中,置于荧光分光光度计上,用Volt=500v,Ex.mono.Slit=Em.mono.Slit=5.0nm,同步扫描激发波长λex和发射波长λem,得到CdTe量子点的共振散射光谱。(3)利用共振散射波长和CdTe量子点粒径的线性关系,求得CdTe量子点粒径即可。
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