[发明专利]一种去除金属硅中P、B杂质的新方法无效
| 申请号： | 200710049165.8 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101070159A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘钢;雷智;张静全;彭鑫 | 申请（专利权）人： | 成都晶硅科技有限公司;四川威玻新能源材料实验室有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种去除金属硅中P、B杂质的新方法，本项发明所属域为新型光电子材料。为了解决金属硅中P、B杂质元素难于用分凝系数法去掉的问题，需要将P、B杂质元素变成P、B氧化物杂质，利用P、B氧化物分凝系数与硅差异较大的特点，在驱融提纯过程中将P、B氧化物杂质去掉，以达到提纯硅的目的。本发明结合驱融提纯法技术和等离子技术，在驱融法提纯硅的同时，引入一个等离子喷枪置于硅熔融区让湿氧通过氩等离子喷焰，形成部分氧等离子，氧等离子轰击熔融硅表面，与其中的P、B杂质元素反应，形成P、B氧化物，从而去掉P、B杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属硅 杂质 新方法 | ||
【主权项】：
1一种物理法提纯金属硅的方法，包括：高频驱熔提纯方法；氩、湿氧等离子处理。
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