[发明专利]宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法无效
申请号: | 200710051056.X | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101256866A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 兰中文;余忠;李乐中;姬海宁;孙科;蒋晓娜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34;C04B35/26;C04B35/64 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法,本发明属于电子材料技术领域。其主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:65~75mol%Fe2O3,13~20mol%ZnO,0.0001~0.5mol%TiO2,余量为Mn3O4;掺杂剂按重量百分比,以氧化物计算:0.01~0.1wt%CaO、0.01~0.09wt%Nb2O5,0.01~0.1wt%V2O5,0.001~0.1wt%ZrO2,以及0.05~1wt%Co2O3。本发明的宽温超低损耗MnZn铁氧体材料晶粒均匀致密,平均晶粒尺寸约为12~18μm。 | ||
搜索关键词: | 宽温超低 损耗 mnzn 磁铁 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料,其特征在于,其主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:65~75mol%Fe2O3,13~20mol%ZnO,0.0001~0.5mol%TiO2,余量为Mn3O4;掺杂剂按重量百分比,以氧化物计算:0.01~0.1wt%CaO、0.01~0.09wt%Nb2O5,0.01~0.1wt%V2O5,0.001~0.1wt%ZrO2,以及0.05~1wt%Co2O3。
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