[发明专利]一种硅/玻璃激光局部键合方法无效

专利信息
申请号: 200710052170.4 申请日: 2007-05-11
公开(公告)号: CN101050066A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 史铁林;廖广兰;汤自荣;马子文;聂磊;林晓辉;彭平 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C03C27/00 分类号: C03C27/00;H01L21/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 方放
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种硅/玻璃激光局部键合方法,属于晶圆键合技术,目的在于使特定区域局部高温,实现键合,并具有高的键合强度,晶圆或器件整体上处于较低温度,不产生不必要的温度梯度和应力场分布,以避免已经集成的压力、温度等传感器件的性能受到影响。本发明顺序包括:(1)清洗步骤;(2)一次活化步骤;(3)二次活化步骤;(4)预键合步骤;(5)激光加热步骤。经过表面活化处理后玻璃和硅片结合紧密,无需外压力作用就能实现硅和玻璃的激光局部键合。本发明所需设备简单,且在局部温度控制及键合效率上有明显优势。
搜索关键词: 一种 玻璃 激光 局部 方法
【主权项】:
1.一种硅/玻璃激光局部键合方法,顺序包括:(1)清洗步骤,将待键合的硅和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗;(2)一次活化步骤,将清洗后的硅和玻璃样片浸泡到氨基活化液中进行活化,活化后取出;(3)二次活化步骤,将一次活化后的硅和玻璃样片浸泡到盐酸基活化液中继续活化,活化后取出;(4)预键合步骤,将二次活化后的硅和玻璃样片吹干,在室温下迅速贴合,使之发生预键合;(5)激光加热步骤,利用激光辐照加热,使贴合后的硅和玻璃发生局部键合。
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