[发明专利]生产高纯硅的新材料及工艺无效
申请号: | 200710055956.1 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101367522A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 侯振海 | 申请(专利权)人: | 侯振海;肖世平 |
主分类号: | C01B33/025 | 分类号: | C01B33/025 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 134600*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明是一种用纳米高纯二氧化硅粉(专利:200710055572.X)和纳米高纯碳粉(专利:200710055571.5)两种新材料混合冶炼高纯硅的方法及工艺。本发明是一种用纳米高纯二氧化硅和纳米高纯碳混合冶炼,辅助炉外精炼,生产炼高纯硅的新方法及工艺。特点是用高纯二氧化硅粉和高纯碳粉两种新材料混合冶炼高纯硅,一开始就不允许杂质的进入,降低了提纯的难度。本发明的优点是:与现有工艺采用的原料相比,原料易得,碳原料属于可再生资源,不需要以破坏森林资源为代价来获取冶炼原料——木炭,也不需要使用越来越紧缺的石油焦,只需要采用本发明人发明的“生产高纯碳的新方法”的产品即可;二氧化硅原料也不需要使用越来越紧缺的优质硅石或电熔石英甚至天然水晶,只需要采用本发明人发明的“生产高纯二氧化硅的新方法”的产品即可。采用该原料后,原料以纳米和亚纳米形式混合,加快了反应速度,降低了反应温度,降低杂质含量。原料具有准确的分子式,可以精确配料,改善了炉况。与现有工艺和设备结合能力强,具有明显的技术优势和生存能力。 | ||
搜索关键词: | 生产 高纯 新材料 工艺 | ||
【主权项】:
1.生产高纯硅的新方法,其特征是:(1)、用纳米高纯二氧化硅粉和纳米高纯碳粉混合焦化;(2)、将焦化物投入电弧炉直接冶炼;(3)、辅助炉外精炼。
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