[发明专利]硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺有效

专利信息
申请号: 200710057091.2 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101055839A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 王道强;孙志昌;初亚东;杜春倩;周皓;王晓捧 申请(专利权)人: 天津中环半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L21/316;H01L21/308;C03C17/00;C03C15/00;C03C17/02
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 代理人: 胡京生
地址: 300384天津市新技术产*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺,首先用混酸将经光刻后的扩散硅片腐蚀出PN结沟槽,然后将丙酮、玻璃粉、硝酸按比例混合,配制成电泳液。使用电泳装置,利用电泳法将玻璃粉均匀的沉积在硅PN结台面沟槽中,最后在温度820℃的纯氧气条件下,将电泳处理后硅片进行玻璃烧成。该工艺能有效地控制硅PN结沟槽玻璃钝化层厚度,使制成的器件的反向电性能稳定。
搜索关键词: 硅整流器 电泳 玻璃 钝化 工艺
【主权项】:
1.本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,该方法包括以下工艺步骤:(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧,生成氧化膜;(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程,做好光刻图形;(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液:硝酸: 30~65%氢氟酸: 15~30%乙酸: 10~45%然后将光刻后的硅片进行腐蚀,刻蚀出PN结沟槽,并去胶清洗;(4).配制电泳液:将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下比例配制成电泳液:丙酮: 80~97%玻璃粉: 2~19%硝酸: 0.005~1%(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中,启动超声波进行超声15min,即可进行电泳;(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。
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