[发明专利]硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺有效
申请号: | 200710057091.2 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101055839A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 王道强;孙志昌;初亚东;杜春倩;周皓;王晓捧 | 申请(专利权)人: | 天津中环半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/316;H01L21/308;C03C17/00;C03C15/00;C03C17/02 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡京生 |
地址: | 300384天津市新技术产*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺,首先用混酸将经光刻后的扩散硅片腐蚀出PN结沟槽,然后将丙酮、玻璃粉、硝酸按比例混合,配制成电泳液。使用电泳装置,利用电泳法将玻璃粉均匀的沉积在硅PN结台面沟槽中,最后在温度820℃的纯氧气条件下,将电泳处理后硅片进行玻璃烧成。该工艺能有效地控制硅PN结沟槽玻璃钝化层厚度,使制成的器件的反向电性能稳定。 | ||
搜索关键词: | 硅整流器 电泳 玻璃 钝化 工艺 | ||
【主权项】:
1.本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,该方法包括以下工艺步骤:(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧,生成氧化膜;(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程,做好光刻图形;(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液:硝酸: 30~65%氢氟酸: 15~30%乙酸: 10~45%然后将光刻后的硅片进行腐蚀,刻蚀出PN结沟槽,并去胶清洗;(4).配制电泳液:将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下比例配制成电泳液:丙酮: 80~97%玻璃粉: 2~19%硝酸: 0.005~1%(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中,启动超声波进行超声15min,即可进行电泳;(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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