[发明专利]IDT/h－BN/c－BN/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200710057330.4 | 申请日： | 2007-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101060318A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨保和;熊瑛;薛玉明;陈希明;吴晓国 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300191*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IDT/h－BN/c－BN/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法，所说的多层膜结构声表面波器件：在镜面硅上制备的纳米金刚石膜底层，在纳米金刚石膜底层上制备的纳米c－BN膜中间层，纳米c－BN膜中间层上制备的高C－轴择优取向的纳米h－BN膜，以及在纳米h－BN膜表面制备叉指换能器IDT，组成IDT/h－BN/c－BN/金刚石多层膜结构声表面波器件。本发明制备的薄膜结构可满足高频(2.5GHz以上)、高机电耦合系数、大功率(8w以上)传播损耗小、频率温度系数低的声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | idt bn 金刚石 多层 膜结构 表面波 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IDT/h-BN/c-BN/金刚石多层膜结构声表面波器件，其特征在于所说的多层膜结构声表面波器件：在镜面硅上制备的纳米金刚石膜底层，在纳米金刚石膜底层上制备的纳米c-BN膜中间层，纳米c-BN膜中间层上制备的高C-轴择优取向的纳米h-BN膜，以及在纳米h-BN膜表面制备叉指换能器IDT，组成IDT/h-BN/c-BN/金刚石多层膜结构声表面波器件。
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