[发明专利]具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710059935.7 | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101174671A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 胡明;梁继然;陈涛;韩雷;刘志刚 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，包括下列步骤：1)硅基片表面清洗；2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；3)以金属钒作为靶材，采用对靶反应磁控溅射法，在上述二氧化硅/硅基片或氮化硅/硅基片上沉积氧化钒薄膜；4)将制得的氧化钒/二氧化硅/硅复合薄膜或氧化钒/氮化硅/硅复合薄膜置于已达到所需退火温度的退火装置中，在空气气氛下进行退火，退火温度为300－400℃，退火时间为1－3小时。本发明提供的制备方法，薄膜溅射温度为室温，退火温度很低，最低仅为300℃左右，利用该方法制备的二氧化钒纳米薄膜具有良好的相变特性，与MEMS工艺的兼容性很好。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相变 特性 氧化 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，其特征在于包括下列步骤：1)硅基片表面清洗；2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；3)以金属钒作为靶材，采用对靶反应磁控溅射法，在上述二氧化硅/硅基片或氮化硅/硅基片上沉积氧化钒薄膜；4)将制得的氧化钒/二氧化硅/硅复合薄膜或氧化钒/氮化硅/硅复合薄膜置于已达到所需退火温度的退火装置中，在空气气氛下进行退火，退火温度为300-400℃，退火时间为1-3小时。
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