[发明专利]草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基透明导电薄膜的方法：(1)搅拌条件下，将1.25g SnC₂O₄加入8－12ml 1.1M C₆H₈O₇水溶液中，缓慢滴加三乙醇胺8－12ml至澄清溶液，pH＝6.5－7，然后加入0.0067g SbCl₃以引入掺杂离子。(2)将玻璃片浸渍于前驱体溶胶中，提拉、干燥后于450－500℃下热处理10min，重复15－30次，得到纳米晶SnO₂基薄膜。本发明提供了一种在溶胶凝胶工艺中，对于化学稳定性较低的某些金属电极(如锂离子电池电极)表面镀膜的方法。

主权项

1.一种草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法，制备步骤如下：(1)在搅拌条件下，将1.25g SnC2O4加入8-12ml 1.1M C6H8O7水溶液中，形成悬浮体系，缓慢滴加三乙醇胺(TEA)8-12ml至澄清溶液，pH＝6.5-7，然后加入0.0067g SbCl3以引入掺杂离子。(2)将清洗后的普通玻璃片浸渍于前驱体溶胶中，提拉并充分干燥后于450-500℃下热处理10min，重复15-30次，得到具有规定厚度和导电性的纳米晶SnO2基薄膜。