[发明专利]一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法有效
| 申请号： | 200710062688.6 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101221892A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，具体为：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体，并将检测到的气体漏率和设定的漏率阈值进行比较，从而根据比较结果来判断半导体晶片的释放程度。以上检测方法能够有效的判断半导体晶片从静电卡盘上的释放程度，然后根据释放程度做出相应的操作，避免了半导体晶片发生跳动或移位的现象，减少了事故发生率，保证了半导体晶片在传输过程中更加地安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 半导体 晶片 静电 卡盘 释放 程度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，其特征在于，在从静电卡盘上释放半导体晶片后，包括如下步骤：A：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体；B：检测气体漏率；C：判断气体漏率是否大于设定的漏率阈值，如是，则输出半导体晶片释放完全的结果；否则，输出半导体晶片未完全释放的结果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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