[发明专利]一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法有效
| 申请号： | 200710062689.0 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101221893A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，具体来说就是：在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片的过程中，让双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，以促进半导体晶片上额外电荷的消散。通过以上技术方案的实施，能够有效的促进半导体晶片上额外电荷的消散，缩短了静电电荷的消散时间，进而缩短了半导体晶片的释放时间，提高了产率，而且没有增加额外的机械结构，操作简单、可靠性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 半导体 晶片 静电 电荷 消散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中，包括如下步骤：A：在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，并维持设定的时间，以促进半导体晶片上额外电荷的消散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
