[发明专利]一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法无效
| 申请号： | 200710062732.3 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101226872A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陶林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;任红 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，采用抛光的方式去除硅材质零件表面的材料，达到消除硅材质零件表面缺陷及损伤的目的。同时配合液态CO2清洗过程与超声波清洗、有机溶剂清洗与酸性溶液清洗过程达到彻底清洗的目的。在保证在不改变硅材质零部件工艺可靠性的前提下，有效的去除硅材质零部件表面的缺陷，不但保证了工艺腔室正常的工艺状态而且延长了零部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 刻蚀 腔室中硅 材质 零件 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、用液态二氧化碳CO2清洗硅材质零件表面；B、对硅材质零件表面进行抛光处理，去除表面材料至消除表面缺陷与损伤；C、对硅材质零件进行超声波清洗、有机溶剂清洗与酸性溶液清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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