[发明专利]一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法无效
| 申请号： | 200710062981.2 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101231956A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王立新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术中SOI器件体接触技术领域，公开了一种实现部分耗尽SOI器件体接触的方法，包括：A.在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；B.对源漏端进行LDS和LDD注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的N+注入，在源漏区都形成浅结；C.用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次N+注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；D.利用钴的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。利用本发明，不但有效的抑制了浮体效应，提高了部分耗尽SOI器件性能，而且与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容，具有工艺简单，成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 部分 耗尽 绝缘体 器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，该方法包括：A、在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；B、对源漏端进行轻掺杂源区LDS和轻掺杂漏区LDD注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的N+注入，在源漏区都形成浅结；C、用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次N+注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；D、利用钴Co的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
