[发明专利]纳米磁载杂多酸的制备方法无效
申请号: | 200710063039.8 | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101229517A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 元炯亮;岳攀 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | B01J27/19 | 分类号: | B01J27/19;B01J32/00;B01J37/025 |
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地址: | 100029北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米磁载杂多酸的制备方法,属材料技术领域。其主要特征是:首先在粒径约为10nm的磁性四氧化三铁颗粒表面包覆二氧化硅纳米薄膜,并用十六烷基三甲基溴化铵修饰包覆二氧化硅的四氧化三铁颗粒;然后采用溶胶-凝胶技术,以正硅酸乙酯为前驱体,以稀硝酸为催化剂包覆第二层二氧化硅纳米薄膜;第二层二氧化硅薄膜与四氧化三铁颗粒的重量比为10%-40%;在包覆第二层二氧化硅纳米薄膜过程中,同时加入杂多酸,使其包埋于二氧化硅纳米薄膜中;杂多酸与第二层二氧化硅纳米薄膜的重量比为10-50%。产物经磁性分离,洗涤,在100-110℃干燥10h,然后在300℃煅烧4h,得到磁载杂多酸纳米多孔颗粒。采用本方法制备的磁载杂多酸纳米颗粒,其中的杂多酸结构稳定,在极性溶剂中不易溶脱,且容易实现磁性分离。 | ||
搜索关键词: | 纳米 杂多 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米磁载杂多酸的制备方法,其主要特征在于:首先在磁性四氧化三铁纳米颗粒上包覆一层二氧化硅纳米薄膜,并用十六烷基三甲基溴化铵进行表面修饰;然后再包覆第二层二氧化硅纳米薄膜,同时采用原位合成技术将杂多酸包埋于二氧化硅纳米薄膜中;采用本方法制备的磁载杂多酸纳米颗粒,其中的杂多酸结构稳定,在极性溶剂中不易溶脱。
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