[发明专利]纳米磁载杂多酸的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710063039.8 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN101229517A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 元炯亮;岳攀 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: B01J27/19 分类号: B01J27/19;B01J32/00;B01J37/025
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种纳米磁载杂多酸的制备方法,属材料技术领域。其主要特征是:首先在粒径约为10nm的磁性四氧化三铁颗粒表面包覆二氧化硅纳米薄膜,并用十六烷基三甲基溴化铵修饰包覆二氧化硅的四氧化三铁颗粒;然后采用溶胶-凝胶技术,以正硅酸乙酯为前驱体,以稀硝酸为催化剂包覆第二层二氧化硅纳米薄膜;第二层二氧化硅薄膜与四氧化三铁颗粒的重量比为10%-40%;在包覆第二层二氧化硅纳米薄膜过程中,同时加入杂多酸,使其包埋于二氧化硅纳米薄膜中;杂多酸与第二层二氧化硅纳米薄膜的重量比为10-50%。产物经磁性分离,洗涤,在100-110℃干燥10h,然后在300℃煅烧4h,得到磁载杂多酸纳米多孔颗粒。采用本方法制备的磁载杂多酸纳米颗粒,其中的杂多酸结构稳定,在极性溶剂中不易溶脱,且容易实现磁性分离。
搜索关键词: 纳米 杂多 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米磁载杂多酸的制备方法,其主要特征在于:首先在磁性四氧化三铁纳米颗粒上包覆一层二氧化硅纳米薄膜,并用十六烷基三甲基溴化铵进行表面修饰;然后再包覆第二层二氧化硅纳米薄膜,同时采用原位合成技术将杂多酸包埋于二氧化硅纳米薄膜中;采用本方法制备的磁载杂多酸纳米颗粒,其中的杂多酸结构稳定,在极性溶剂中不易溶脱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学,未经北京化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710063039.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top