[发明专利]一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法有效
| 申请号： | 200710063224.7 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101214487A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 付春江 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 练光东 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法，包括如下步骤：采用ClF3和惰性气体组成的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗；采用惰性气体或O2或是惰性气体和O2组成的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗。本发明所述方法对刻蚀设备腔室在非等离子体启辉的条件下实现了腔室清洗的目的。该方法能够有效提高零件寿命，降低金属颗粒数目，提高产品良率。而且清洗中不需要等离子体启辉过程使得晶圆加工过程中的CoO(Cost of Ownership)得到进一步降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 设备 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法，包括如下步骤：1)先采用ClF3和惰性气体组成的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗；2)再采用惰性气体或O2或是惰性气体和O2组成的的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗。
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