[发明专利]一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法

摘要

本发明提供了一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法，该方法采用七步骤通过反应气体对至少两片硅片进行刻蚀，其能够很好的将腔室内部聚焦环等部件进行聚合物的去除，并能起到去除颗粒的作用。该方法是将暖机工艺和干法清洗工艺进行了结合，节省了步骤，提高产率和良率，并且解决了腔室切换工艺时刻蚀工艺漂移的问题。

主权项

1.一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，控制腔室压力在40～90mT；源电极的功率控制在650～900w；通入含氟气体，流量在150～200sccm；通入氧气，流量采用15～30sccm；刻蚀时间20～40s；第二步，控制腔室压力在40～90mT；源电极的功率控制在650～900w；通入氧气，流量采用180～250sccm；刻蚀时间3～5s；第三步，控制腔室压力在15～30mT；源电极的功率控制在650～900w；通入氧气，流量采用180～250sccm；刻蚀时间15～30s；第四步，控制腔室压力在0～15mT；通入甲烷气体，流量在30～80sccm；刻蚀时间5～15s；第五步，控制腔室压力在0～15mT；源电极功率控制在250～350w；下电极功率控制在30～90w；通入甲烷气体，流量在30～80sccm；刻蚀时间5～15s；第六步，控制腔室压力在0～30mT；通入氯气，流量在5～30sccm；通入含溴气体，流量在150～200sccm；通入惰性气体，流量在5～15sccm；刻蚀时间5～15s；第七步，控制腔室压力在0～30mT；源电极功率控制在250～350w；下电极功率控制在30～90w；通入氯气，流量在5～30sccm；通入含溴气体，流量在150～200sccm；通入惰性气体，流量在5～15sccm；刻蚀时间40～80s；重复循环上述步骤至少两次。