[发明专利]荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法

摘要

本发明提供一种双波长激发的荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法，其采用Yb³⁺X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料，其中X为另一种稀土元素离子，利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围在磨损或涂污后基本不变的特性进行荧光防伪，所述方法包括以下步骤：(1)选用激发光EX1激发X离子，使其发出较强的短波长荧光EM1和较弱的长波长荧光EM2；(2)检测激发光EX1激发下的短波长荧光与长波长荧光的荧光强度比α；(3)选用激发光EX2激发X离子，使其发出较强的长波长荧光EM2和较弱的短波长荧光EM1；(4)检测激发光EX2激发下的长波长荧光与短波长荧光的荧光强度反转比γ；和(5)计算荧光强度反转的动态范围∑＝γ×α。

主权项

1. 一种双波长激发的荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法，该方法采用Yb3+X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料，其中X为除Yb3+ 以外的另一种稀土元素离子，利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围在磨损或涂污后基本不变的特性进行荧光防伪，所述方法包括：(1)选用激发光EX1激发X离子，使其发出较强的短波长荧光EM1和较弱的长波长荧光EM2；(2)检测激发光EX1激发下的短波长荧光EM1与长波长荧光EM2的荧光强度比α；(3)选用激发光EX2激发X离子，使其发出较强的长波长荧光EM2和较弱的短波长荧光EM1；(4)检测激发光EX2激发下的长波长荧光EM2与短波长荧光EM1的荧光强度反转比γ；和(5)计算荧光强度反转的动态范围∑＝γ×α。其中荧光强度反转的动态范围∑在磨损或涂污前后的变化范围Δ∑在32％以内。