[发明专利]一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置无效
| 申请号： | 200710064855.0 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101275805A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘茂哲;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | F26B5/06 | 分类号： | F26B5/06;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室和温度控制室组成；高压反应室用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室，与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环；温度控制室通过蒸发器盘管与高压反应室相连，实现高压反应室的制冷和加热；分离减压室通过管道与高压反应室相连，用于减压后将醇类和二氧化碳分离；所述超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本发明，解决了微细加工中干燥时粘连的问题，并降低了液体二氧化碳的消耗量，达到了节约能源的目的，与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比，结构简单，无噪音，无污染，制冷速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 二氧化碳 临界 干燥 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，该装置包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成；高压反应室(4)用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室，与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室(4)的外壁上安装有半导体制冷环(201)；温度控制室(5)通过蒸发器盘管与高压反应室(4)相连，实现高压反应室(4)的制冷和加热；分离减压室(6)，通过管道与高压反应室(4)相连，用于减压后将醇类和二氧化碳分离；所述超临界干燥室与分离减压室(6)通过支座台(2)固定连接。
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