[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法无效
| 申请号： | 200710064858.4 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101275983A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 海潮和;韩郑生;周小茵;赵立新;李多力;李晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28;G01R19/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI－CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中，测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接负电源电位。测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接电源电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位。本发明将SOI－CMOS电路的背衬底固定在一定的电位，SOI电路中的N、PMOS器件的工作，是处于完全不同的背栅偏置下。因此，单独表征N、PMOS的阈值电压的条件相应要改变，这样才能正确认识和控制阈值电压以便保障SOI电路的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 阈值 电压 测试 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI-CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。
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