[发明专利]带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜

摘要

本发明涉及一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，包括基底，和依次沉积在基底上的第一保护层、氧化物掩模层、第二保护层、第一金属薄膜和第二金属薄膜；所述的第一金属薄膜和第二金属薄膜，是两种金属在相对较低温度≤500℃下，能形成二元合金的材料的组合；所述的第一保护层厚度为100nm－200nm，所述的掩模层厚度为2nm－30nm，所述的第二保护层厚度为10nm－50nm。本发明的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，采用超分辨近场结构和无机热阻膜结合的多层膜结构。在微纳米加工过程中，采用此多层膜结构制作光刻原片，利用普通曝光系统或直写式曝光系统实现曝光，能够简单获得高分辨率的曝光图形。能够在简单地获得高分辨率曝光图形的同时，有效增加纳米构造的高度。

主权项

1. 一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，包括基底(1)，和依次溅射沉积在基底(1)上的第一保护层(9)、氧化物掩模层(8)和第二保护层(7)；其特征在于：还包括第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)；该第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)顺序生长在第二保护层(7)上，所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)是能在温度≤500℃下，一起形成二元合金的金属材料；所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)的厚度分别为5nm-100nm。