[发明专利]TFT LCD电极薄膜制备所用的靶材及靶材和电极薄膜制备方法无效
| 申请号： | 200710065345.5 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101285165A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 薛建设;梁珂 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C4/06;B22D21/00;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其中靶材为Al－RE的合金、Al－Ni的合金或者Al－Ni－RE合金，靶材中合金元素的含量在1at％－10at％。本发明同时公开了TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用靶材的制备方法和TFT LCD有源矩阵电极薄膜的制备方法。本发明用资源丰富Ni以及RE替代资源稀缺高价格的Nd，制备二元合金靶材，能够降低靶材及电极薄膜的制造成本。本发明电极薄膜的制备方法中通过磁控溅射方法使合金元素能够固溶其中，能够提高Al合金薄膜的热稳定性。本发明电极薄膜的制备方法中，在退火过程将使全部或者部分固溶态的合金元素以金属间化合物的形式沉淀于晶粒之间，能够降低合金薄膜的电阻率和提高其热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 电极 薄膜 制备 所用 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其特征在于：所述靶材为Al-RE的合金、Al-Ni的合金或者Al-Ni-RE合金。
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