[发明专利]具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法。在MgO基板的一面沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜，在缓冲层导电电极LNO薄膜上再沉积一层钙钛矿相PST薄膜。其步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，碳酸铅，碳酸锶，氧化钛为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和钛酸锶铅靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂缓冲层和钛酸锶铅薄膜。本发明制备方法简单，制得的钛酸锶铅薄膜外延性好，质量高，薄膜的介电可调性可达40％到70％。

主权项

1.一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜，其特征在于：在MgO基板(1)的一面上沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜(2)，在缓冲层导电电极LNO薄膜(2)上再沉积一层钙钛矿相PST薄膜(3)。