[发明专利]一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置无效
| 申请号： | 200710068863.2 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101100763A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;斯剑霄;夏明龙;徐天宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/08 | 分类号： | C30B23/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 盛辉地 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间由闸板阀隔离，进样室与生长准备室有样品传送杆传送衬底，生长准备室与生长室有样品传送杆传送衬底，生长准备室和生长室有可升降和转动的样品架，生长室样品架下边有2-8只束源炉，由挡板隔离样品架与束源炉，生长室可根据需要选择用水冷或液氮冷却，制造成本低，产品质量高，样品尺寸可达3英寸，均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 薄膜 生长 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制备IV-VI族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间由闸板阀隔离，进样室与生长准备室有样品传送杆传送衬底，生长准备室与生长室有样品传送杆传送衬底，生长准备室和生长室有可升降和转动的样品架，生长室样品架下边有2-8只束源炉，由挡板隔离样品架与束源炉。
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