[发明专利]点弧和柱弧真空镀膜方法

摘要

本发明公开了一种点弧和柱弧真空镀膜方法。它包括如下步骤：1)真空离子镀膜设备抽真空；2)离子清洗；3)主弧轰击；4)镀底膜过渡层；5)镀结合膜层；6)镀化合物膜层；7)镀光亮层；8)降温。本发明采用阴极多金属多点点电弧和中心阴极旋转柱弧相结合的应用技术。利用点弧膜层沉积速率高、成本低和柱弧的镀膜的均匀性、粒子沉积细腻、结合密度高，结合力强，表面光亮度好的优点，达到(1)改善了膜层的致密度和表面光洁度，使膜层更细更致密和膜层光亮；(2)均匀提高了膜层的耐腐蚀能力；(3)减少或抑制液滴的产生和提高了抗氧化性能；(4)降低了生产成本，大大提高了生产效率。

主权项

1.一种点弧和柱弧真空镀膜方法，其特征在于包括如下步骤：1)真空离子镀膜设备抽真空：真空镀为8.0-4.0×10-3Pa；2)离子清洗：工件偏压从100V上升为500V，偏压100V时真空比为10％、500V时真空比为90％，电流从70A开始至90A，真空度为2.0-3.0×10Pa，使用氩气、氮气作为气源，进气量300-500mm3/s，进行离子清洗5-8分钟；3)主弧轰击：在真空度为5.0-2.0×10-1Pa，柱弧电流为200-250A，点弧电流为70-90A，偏压300-400V时开始主弧轰击，使用氢气作为气源，进气量100-150mm3/s，先柱弧轰击，后点弧轰击，柱弧轰击与点弧轰击交叉进行，每次30-35秒，循环4-6次；4)镀底膜过渡层：选用钛靶、铬靶、锆靶为靶材，用柱弧镀底膜过渡层，使用氩气、氮气作为气源，进气量250-220mm3/s，真空比80-90％，真空度为4.5-3.0×10-1Pa，电流为200-220A，偏压150-200V，镀底膜时间为3-5分钟；5)镀结合膜层：真空度、真空比、电流、偏压不变，采用锆靶，使用氮气、氩气作为气源，进气量250-220mm3/s，点弧、柱弧同时镀结合膜层，镀结合膜层时间为5-6分钟；6)镀化合物膜层：真空度3.0-4.0×10-1Pa，真空比80-90％，柱弧电流为200-250A，点弧电流为70-90A，偏压130-180V，采用锆靶或铬靶，使用氩气、氮气、乙炔或甲烷作为气源，进气量氮气50-190mm3/s，氩气150-100mm3/s，乙炔或甲烷5-50mm3/s，点弧、柱弧同时镀化合物膜层，镀化合物膜层时间为6-8分钟；7)镀光亮层：真空度为2.0-4.0×10-1Pa，电流为70-90A，偏压150-200V，使用氧气作为气源，进气量80-100mm3/s，用柱弧镀光亮层，镀光亮层时间为0.5-1分钟；8)降温：用氩气或氮气降温，降温时间5-6分钟。