[发明专利]一种ZnO基发光二极管及其制备方法

摘要

本发明的ZnO基发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层、n-Zn_1-xMg_xO薄膜层、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层、p-Zn_1-xMg_xO薄膜层、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn_1-yMg_yO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。采用金属有机物化学气相沉积法生长，其中，p-ZnO和p-Zn_1-xMg_xO薄膜层用O₂/NO混合气体的非等离子体辅助氮掺杂。通过优化NO/O₂比例可以提高氮掺杂浓度，有利于提高器件性能。ZnO基发光二极管以量子阱作为有源层，利于提高发光效率。

主权项

1.一种ZnO基发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。