[发明专利]一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法有效
| 申请号： | 200710070017.4 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101082550A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;马向阳;曾俞衡;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N21/95 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，以体积百分数计，含有：质量浓度为65％～68％的HNO3≥10％，质量浓度为40％的HF≥5％，且35％≤HNO3+HF≤75％，其余体积由H2O补足，使得HNO3+HF+H2O＝100％。该腐蚀液适用范围广，可以用于电阻率为0.0007～80Ω·cm、(110)、(100)和(111)等不同晶向硅片的缺陷的择优腐蚀，并且具有缺陷分辨能力高、腐蚀时间短、可调节浓度范围广、不含重金属离子以及使用简易等优点。这种腐蚀剂尤其适用于低阻硅片的缺陷显示。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体 材料 缺陷 显示 腐蚀 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，其特征是以体积百分数计，含有：质量浓度为65％～68％的HNO3≥10％，质量浓度为40％的HF≥5％，且满足35％≤HNO3+HF≤75％，其余体积由H2O补足，组分之和为HNO3+HF+H2O＝100％。
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